次世代磁性材料：反強磁性体の持つ普遍的機能性の実証
研究成果 2021/02/25
東京大学大学院理学系研究科 肥後友也 特任准教授（研究当時：東京大学物性研究所 特任助教）、東京大学大学院理学系研究科・新領域創成科学研究科・物性研究所及びトランススケール量子科学国際連携研究機構の中辻 知 教授らの研究グループは、同研究所・同機構 大谷義近 教授 （理化学研究所 創発物性科学研究センター チームリーダー併任）、理化学研究所 創発物性科学研究センター 近藤浩太 上級研究員、米国Johns Hopkins大学 C. L. Chien 教授らの研究グループと共同で、省電力・超高速・超高密度化が求められるビヨンド５G世代の磁気デバイスの中心素材として注目を集めている反強磁性体であるマンガン化合物Mn3Snにおいて、これまでデバイス作製の際に課題となっていた形状（形状磁気異方性）の影響を受けずに、全方向へ指向可能な巨大磁気応答を得られるという特性を見いだしました。また、この特性を用いて、次世代のメモリ開発に有用な新たな多値記憶機能実証や、デバイス形状の自由度が高く、外部磁場擾乱に強い異常ネルンスト熱流センサーの開発に成功しました。
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